Page 44 - 2025 智動化工業總覽
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                 廠Veeco收購化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition, CVD)磊晶設備系統廠Epiluvac AB，以拓展其                                                  發經驗，成功開發PVT碳化矽單晶生長系統，在大立光集團挹注下，目標研發半絕緣型以及導電型晶

                 磊晶設備版圖。                                                                                                                體技術與設備，預計今年可正式量產6吋及8吋長晶爐。


                   3、乾蝕刻設備                                                                                                                2、 磊晶設備

                   由於3D溝槽式(Trench) MOSFET的設計需求增加，加上受碳化矽的材料性質限制，故須採用電漿                                                                     漢民10多年前投入研發MOCVD設備，擁有涵蓋氮化鎵(GaN)、GaN on Si、砷化鎵(GaAs)及磷化銦
                 乾蝕刻技術，才可在縮小元件尺寸的同時，提供更高晶圓製造密度及更好的產品性能。而相關技術的                                                                           (InP)應用之完整產品線，設備支援4~8吋晶圓，且單批次可處理6片8吋基板。
                 代表性設備商包含了SPTS與Oxford Instruments等。以Oxford Instruments為例， 其2016年即推出適用

                 於碳化矽、氮化鎵等材料之單晶圓ICP RIE蝕刻設備PlasmaPro 100 Polaris，並在2021年再於英國新建                                                            3、 乾蝕刻設備
                 占地約9.3萬平方公尺之先進製造設施，擴大生產與研發能量。                                                                                            漢民自2013年推出光電產業用蝕刻機後，於2021年跨入化合物半導體市場，研發ICP乾蝕刻設備。
                                                                                                                                        友威則透過其多年真空經驗，積極投入真空濺鍍製程技術及鍍膜系統設計開發，應用於包含乾式

                   4、 離子佈植設備                                                                                                            蝕刻設備之機台。而凌嘉則專注於濺鍍及電漿應用，熟稔電漿蝕刻技術的ICP、CCP、RIE、HDP、
                   離子佈植設備在2024年的市場需求位居製程設備之首，主要供應商包含美商Axcelis、日商ULVAC                                                                   RPS、ESC等關鍵技術，其乾蝕刻系列產品目前已朝化合物半導體µLED產業布局。
                 與日商日新離子(Nissin Ion)，三者合占逾九成市場。另外，日本住友重機械離子科技公司(Sumitomo
                 Heavy Industries Ion Technology)也於2020年宣布投資120億日元於愛媛縣建設新廠，預定今(2025)年推                                                    4、 離子佈植設備

                 出用於碳化矽功率半導體的離子佈植設備，同時也將改進設備的離子佈植方式，以在維持碳化矽半                                                                              漢辰科技20餘年來持續深耕離子佈植設備技術，目前公司的iPulsar Plus單片式高電流離子植入機
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                                                                                                                                        流，精確控制角度並提升產能，且其擁有最大晶圓傾斜角度植入能力，為市場領先技術，未來皆有望

                   5、 熱處理設備
                   熱處理設備是碳化矽半導體製程中與矽基製程具差異化的關鍵設備，目前德商centrotherm為領導                                                                     切入碳化矽半導體應用。
                 供應商，全球市占逾六成，其產品包含高溫退火、高溫氧化設備等。2023年，公司與新加坡科技研究                                                                           5、 熱處理設備

                 局(A*STAR)合作，共同推進8吋碳化矽技術發展，由A*STAR將其8吋碳化矽試驗線與centrotherm的                                                                 鈦昇與數家國際廠商(如Bosch、Wolfspeed、Coherent等)合作，提供碳化矽整合解決方案，其中在
                 擴散和退火設備相結合，以開發出用於碳化矽元件製造的熱製程。另外，centrotherm也將在新加坡成                                                                     雷射退火設備部分，鈦昇透過短波雷射與自主開發之加速光學解決方案來進行淺層退火。技鼎則
                 立專門的技術團隊，提供技術專長、製程配方和現場支援。                                                                                             以快速退火爐累積實績(裝機紀錄逾百部)，目前主要應用於砷化鎵、氮化物等半導體元件的金屬

                                                                                                                                        化(Metallization)製程。雖設備工作溫度尚未達碳化矽退火所需的1,600℃以上，也與主流採用爐管
                 台灣碳化矽半導體設備產業                                                                                                           (Furance)的方式不同，但有望持續透過技術精進，切入碳化矽晶片製造製程中。

                   一、市場概述
                   台灣半導體設備市場產值近年呈現明顯成長趨勢，2024年達新台幣1,532億元，惟大多為矽基製程                                                                      結語
                 所用。而碳化矽半導體相關業務因尚屬新興領域，不僅業務占比較低，公司也多未揭露實際金額或比                                                                             碳化矽市場快速成長，促使原矽基半導體業者積極投入此領域，並透過併購、擴建與合作，加速切

                 重，故目前台灣在碳化矽半導體相關設備市場規模與產值等資訊較難以掌握。                                                                                     入市場。隨著終端業者新增或擴充產線，將同步帶動設備需求。尤其是磊晶、離子佈植與熱處理等與
                                                                                                                                        矽基半導體差異大的製程，須重新購置設備，帶動相關設備需求成長。
                   二、關鍵設備投資現況
                   1、 長晶設備                                                                                                                與矽基半導體相同，碳化矽半導體用之製程設備主要技術仍掌握於國際大廠，目前國內技術較可

                   環球晶除了發展碳化矽長晶業務外，另亦投入自主設計開發專用8吋長晶爐，去年已完成6吋長晶製                                                                         掌握之規格以4、6吋為主，並持續朝8吋邁進。在長晶設備方面已有初步成果，並完成部分試產與驗
                 程及晶圓品質驗證，預計今年可完成8吋設備驗證並量產。而漢民與廣運/盛新也申請了8吋碳化矽長                                                                          證；而與矽基製程相近的加工與in-line製程設備，除曝光機外，已有台廠陸續投入自主開發，顯示國

                 晶設備開發計畫，亦皆預計於今年完成驗證。此外，台灣應用晶體公司則憑藉其過往柴式長晶爐之開                                                                           內在設備領域的技術能力正在逐步深化。







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