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碳化矽半導體設備

全球及國內產業現況

■文／金屬工業研究發展中心 企劃推廣處/產業研究組 陳靜樺

全球碳化矽半導體設備產業
一、市場概述

碳化矽半導體的製作，首先需以長晶爐生長完整無缺陷的晶錠，後續再進行切割、研磨、磊晶、蝕
刻、熱處理等工序。其中長晶為整個生產流程中最關鍵的步驟，目前主流的碳化矽長晶技術則為物理
氣相傳輸法(Physical Vapor Transport, PVT)。根據國際市場研究機構Yole預測， PVT長晶爐的公開市
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場規模將從2024年的2.45億美元成長至2029年的4.2億美元，年複合成長率達11.4%。其中，又因多數業
者採用自製長晶設備，故整體市場規模可能更高。

在其他製程設備方面，2024年全球市場規模達35億美元，其中以離子佈植設備占比最高(21%)，其次
依序為檢量測設備(21%)與磊晶設備(17%)。而至2029年，預期該市場規模將進一步成長至44億美元，
市場規模占比前三者依序為檢量測設備(26%)、離子佈植設備(20%)以及磊晶設備(18%)。

二、關鍵設備投資現況
1、長晶設備
碳化矽基板領導供應商在近期多有擴廠、新設產線的規畫，而相關長晶設備勢必需一併到位，其

中又以目前發展速度最快的中國大陸市場有較大量的設備投資動態。例如連成數控與連科半導體合
作，擬投資人民幣10.5億元於無錫興建包含碳化矽長晶及加工設備的研發及生產製造基地。公司除了
已於2023年與客戶在碳化矽長晶爐、多線切割機等設備深化合作關係，並供貨予山東天岳外，去年5

月更再發表新一代8吋碳化矽長晶爐。而目前全球前十大長晶設備公司之一的德商PVA TePla，在去年
亦針對中國市場推出專用的SiCN長晶爐。

2、磊晶設備
磊晶設備需求為製程設備中的前三大，而如此的市場量，也反映在了設備商的投資布局上。全球最
大Ⅲ-Ⅴ族半導體有機金屬化學氣相沉積法(Metal-organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD)磊晶
設備製造公司Aixtron繼2023年宣布投資1億歐元於德國建造研發創新中心後，去年6月再收購義大利

一座生產基地，擴大歐洲製造業務。而以原子層沉積系統(Atomic Layer Deposition, ALD)設備聞名的
荷商ASM則於2022年收購義大利碳化矽磊晶設備商LPE，將業務範圍由矽基擴大至化合物半導體領

域，並於去年發布可適用於6/8吋晶圓的全新PE2O8碳化矽磊晶系統。另外，2023年美國MOCVD設備

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